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金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，无锡惠芯半导体有限公司取得一项名为“一种低损耗和漏电的沟槽MOS功率器件和制备方法”的专利，授权公告号CN 112582477 B，申请日期为2020年12月。
天眼查资料显示，无锡惠芯半导体有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币，实缴资本373万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡惠芯半导体有限公司共对外投资了1家企业，知识产权方面有商标信息1条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可5个。
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